川崎–(BUSINESS WIRE)–（ビジネスワイヤ） — 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、鉄道車両や再生可能エネルギー発電システム、電力変換システムなどの産業用機器向けに、当社第3世代のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETチップを搭載したドレイン・ソース間電圧定格3300V、ドレイン電流 (DC) 定格800AのDual SiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を製品化し、ラインアップを拡充しました。新製品では、サージ電流耐量の指標の1つである電流2乗時間積 (ダイオード)（I2t）特性を製品仕様として規定しました。 近年、鉄道車両向けインバーター・コンバーター、再生可能エネルギー発電システム、産業用モーター制御機器などの産業用機器では、高効率化や小型化に加え、システムの信頼性向上に対する要求が高まっています。これらの機器のシステムでは、異常時にパワー半導体モジュールに大きなサージ電流が流れる場合があり、サージ電流に対する十分な耐量が求められています。 新製品は、搭載するSiCチップ設計の最適化により、異常時にダイオード部に流れるサージ電流に対す