日本川崎–(BUSINESS WIRE)–(美国商业资讯)– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩展了其产品阵容，推出适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等工业设备的双SiC MOSFET模块——“IX800FXF2YMS4”。该新型模块采用Toshiba第三代碳化硅(SiC) MOSFET芯片，漏源电压额定值为3300V，直流(DC)漏极电流额定值为800A。其规格中明确了二极管部分的I2t限值，该值是衡量浪涌电流能力的指标。 包括铁路牵引逆变器和变流器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备在内的工业设备制造商，必须不断满足对更高效率、更小体积和更高可靠性的日益增长的需求。在这些系统中，必须通过足够的浪涌电流承受能力来应对异常条件下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流。 IX800FXF2YMS4采用了优化的SiC芯片设计，其I2t特性达到300kA2s[1]，该特性是衡量二极管部分在异常条件下浪涌电流能力的指标。 该模块的漏源导通电压（检测端）(VDS(on)sense